用于先进半导体材料的碳化硅系列产品性能要求

半导体装备用精密陶瓷部件

（1）刻蚀装备用碳化硅电极：弹性模量≥350GPa，抗弯强度≥350MPa，纯度≥6N，导热系数≥180W/(m·K)，热膨胀系数≤4.5×10^-6℃^-1，

密度≥3.2g/cm³，硬度≥29GPa，电阻率 0.005～80Ω·cm；

（2）刻蚀装备用碳化硅环：弹性模量≥350GPa，抗弯强度≥350MPa，纯度≥6N，导热系数≥180W/(m·K)，热膨胀系数≤4.5×10^-6℃^-1，密度≥3.2g/cm³，硬度≥29GPa；

（ 3）刻蚀装备用氮化硅陶瓷部件：密度≥3.15g/cm³；导热系数（室温）≥27W/(m·K)；线性热膨胀系数(室温-1000℃)≤3.5×10-6 /K;

；抗弯强度≥550MPa；平均粒度≤4μm；韦伯模量≥9；关键尺寸精度±0.02mm；表面粗糙度0.3～5μm，尺寸颗粒≤5000count/cm²，表面有机物≤0.1μg/cm²；

（4）6寸及以上高温扩散工序用烧结碳化硅舟：密度≥3.1g/cm³，导热系数≥160W/(m·K)，纯度≥99.9%，抗弯强度≥370MPa;

（5）6寸及以上高温扩散工序用CVD碳化硅舟：弹性模量≥350GPa，抗弯强度≥350MPa，纯度≥6N，导热系数≥180W/(m·K)，热膨胀系数≤4.5×10^-6℃^-1，密度≥3.2g/cm³，硬度≥29GPa；

（6）6寸及以上高温扩散工序用烧结碳化硅炉管：纯度≥99.96%，密度≥2.9g/cm³，抗压强度≥350MPa；热膨胀系数≤4.5×10^-6℃^-1；

（7）6寸及以上高温扩散工序用CVD碳化硅炉管：弹性模量≥350GPa，抗弯强度≥350MPa，纯度≥6N，导热系数≥180W/(m·K)，热膨胀系数≤4.5×10^-6℃^-1，密度≥3.2g/cm³，硬度≥29GPa。