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用于先进半导体材料的碳化硅系列产品性能要求

2024-04-09 10:01:39   来源:工业和信息化部   编辑:程波   查看:174
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简介:根据《重点新材料首批次应用示范指导目录(2024 年版)》,对半导体装备用精密陶瓷部件性能要求进行了规范。

半导体装备用精密陶瓷部件

1)刻蚀装备用碳化硅电极:弹性模量≥350GPa,抗弯强度≥350MPa,纯度≥6N,导热系数≥180W/(m·K),热膨胀系数≤4.5×10-6-1

密度≥3.2g/cm3,硬度≥29GPa,电阻率 0.005~80Ω·cm;

2)刻蚀装备用碳化硅环:弹性模量≥350GPa,抗弯强度≥350MPa,纯度≥6N,导热系数≥180W/(m·K),热膨胀系数≤4.5×10-6-1,密度≥3.2g/cm3,硬度≥29GPa;

3)刻蚀装备用氮化硅陶瓷部件:密度≥3.15g/cm3;导热系数(室温)≥27W/(m·K);线性热膨胀系数(室温-1000℃)≤3.5×10-6 /K;

;抗弯强度≥550MPa;平均粒度≤4μm;韦伯模量≥9;关键尺寸精度±0.02mm;表面粗糙度0.3~5μm,尺寸颗粒≤5000count/cm2表面有机物≤0.1μg/cm2

4)6寸及以上高温扩散工序用烧结碳化硅舟:密度≥3.1g/cm3,导热系数≥160W/(m·K),纯度≥99.9%,抗弯强度≥370MPa;

5)6寸及以上高温扩散工序用CVD碳化硅舟:弹性模量≥350GPa,抗弯强度≥350MPa,纯度≥6N,导热系数≥180W/(m·K),热膨胀系数≤4.5×10-6-1,密度≥3.2g/cm3,硬度≥29GPa;

6)6寸及以上高温扩散工序用烧结碳化硅炉管:纯度≥99.96%,密度≥2.9g/cm3,抗压强度≥350MPa;热膨胀系数≤4.5×10-6-1

7)6寸及以上高温扩散工序用CVD碳化硅炉管:弹性模量≥350GPa,抗弯强度≥350MPa,纯度≥6N,导热系数≥180W/(m·K),热膨胀系数≤4.5×10-6-1,密度≥3.2g/cm3,硬度≥29GPa。

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