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8-12英寸硅单晶抛光片和外延片性能要求

2024-04-09 09:58:32   来源:工业和信息化部   编辑:程波   查看:188
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简介:根据《重点新材料首批次应用示范指导目录(2024 年版)》,对8-12英寸硅单晶抛光片和外延片性能要求进行了规范。

1)8英寸轻掺硅单晶抛光片:晶向(100),P型,硼掺杂,电阻率1~200Ω·cm,氧含量6~15ppma,≥90nm 的颗粒少于80颗;尺寸要求:外径200mm±0.2mm,厚度600~750μm,厚度允许偏差±15μm,总厚度变化≤4μm;总平整度≤3μm;局部平整度(SBIR25×25)≤0.8μm;弯曲度≤40μm;翘曲度≤40μm;

2)8英寸重掺硅单晶抛光片:晶向(100)/(111), P型/N 型,硼/磷/砷/锑掺杂,电阻率0.0007~0.08Ω·cm,氧含量8~18ppma,≥120nm的颗粒少于200颗;尺寸要求:外径 200mm±0.2mm,厚度 600~ 750μm,厚度允许偏差±15μm,总厚度变化≤5μm;总平整度≤4μm;局部平整度(SBIR25×25)≤1.2μm;弯曲度≤60μm;翘曲度 ≤60μm;

3)12英寸硅单晶抛光片:外径 300mm±0.2mm,厚度允许偏差 ±25μm,总厚度变化≤3μm,翘曲度≤50μm,局部平整度(SFQR25×25≤0.1μm。

4)12英寸硅单晶外延片:产品类型N/N,掺杂元素磷;外延电阻率≥80Ω·cm;电阻率梯度≤7%;外延层厚度≥80μm;厚度偏差≤3.5%;BOW≤45μm;Warp≤60μm。

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