8-12英寸硅单晶抛光片和外延片性能要求

（1）8英寸轻掺硅单晶抛光片：晶向(100)，P型，硼掺杂，电阻率1～200Ω·cm，氧含量6～15ppma，≥90nm 的颗粒少于80颗；尺寸要求：外径200mm±0.2mm，厚度600～750μm，厚度允许偏差±15μm，总厚度变化≤4μm；总平整度≤3μm；局部平整度（SBIR25×25）≤0.8μm；弯曲度≤40μm；翘曲度≤40μm；

（2）8英寸重掺硅单晶抛光片：晶向(100)/(111)， P型/N 型，硼/磷/砷/锑掺杂，电阻率0.0007～0.08Ω·cm，氧含量8～18ppma，≥120nm的颗粒少于200颗；尺寸要求：外径 200mm±0.2mm，厚度 600～ 750μm，厚度允许偏差±15μm，总厚度变化≤5μm；总平整度≤4μm；局部平整度（SBIR25×25）≤1.2μm；弯曲度≤60μm；翘曲度 ≤60μm；

（3）12英寸硅单晶抛光片：外径 300mm±0.2mm，厚度允许偏差 ±25μm，总厚度变化≤3μm，翘曲度≤50μm，局部平整度（SFQR25×25≤0.1μm。

（4）12英寸硅单晶外延片：产品类型N/N，掺杂元素磷；外延电阻率≥80Ω·cm；电阻率梯度≤7%；外延层厚度≥80μm；厚度偏差≤3.5%；BOW≤45μm；Warp≤60μm。