用于先进半导体材料的镓、锗、硅产品性能要求

氮化镓单晶衬底及外延片

（1）氮化镓单晶衬底：4英寸及以上，位错密度≤5×106cm^-2，表面粗糙度≤0.3nm，N型氮化镓单晶衬底电阻率≤0.05Ω·cm，半绝缘氮化镓单晶衬底电阻率≥106Ω·cm；

（2）氮化镓外延片：8英寸及以上，方阻≤400Ω/□，二维电子气浓度≥8×1012cm^-2，翘曲≤50µm，迁移率≥1500cm²V^-1S^-1。

4-6 英寸低位错锗

单晶单晶直径≥104mm，单晶长度≥120mm，单晶晶向：＜100＞偏＜111＞9°±1°，导电型号P型，电阻率0.001～0.05Ω·cm，径向电阻率不均匀性≤15%，位错密度≤500/cm²。

碳化硅单晶衬底及同质外延片

（1）碳化硅单晶衬底：6英寸及以上，微管密度≤0.2/cm²，TTV≤10µm，BOW：-15～15µm，Warp≤35µm，表面粗糙度Ra≤0.15nm；N型碳化硅衬底电阻率0.015～0.025Ω·cm， BPD≤1000/cm²；半绝缘碳化硅衬底电阻率≥10¹⁰Ω·cm。

（2）碳化硅同质外延片：大于6英寸，外延片内浓度不均匀性≤10%；外延片内厚度不均匀性≤5%；外延表面缺陷密度≤1cm^-2；外延表面粗糙度≤0.3nm。