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用于先进半导体材料的镓、锗、硅产品性能要求

2024-04-09 10:02:21   来源:工业和信息化部   编辑:程波   查看:200
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简介:根据《重点新材料首批次应用示范指导目录(2024 年版)》,对氮化镓单晶衬底及外延片、4-6 英寸低位错锗、碳化硅单晶衬底及同质外延片等产品的性能要求进行了规范。

氮化镓单晶衬底及外延片

1)氮化镓单晶衬底:4英寸及以上,位错密度≤5×106cm-2,表面粗糙度≤0.3nm,N型氮化镓单晶衬底电阻率≤0.05Ω·cm,半绝缘氮化镓单晶衬底电阻率≥106Ω·cm;

2)氮化镓外延片:8英寸及以上,方阻≤400Ω/□,二维电子气浓度≥8×1012cm-2,翘曲≤50µm,迁移率≥1500cm2V-1S-1

4-6 英寸低位错锗

单晶单晶直径≥104mm,单晶长度≥120mm,单晶晶向:<100>偏<111>9°±1°,导电型号P型,电阻率0.001~0.05Ω·cm,径向电阻率不均匀性≤15%,位错密度≤500/cm2

碳化硅单晶衬底及同质外延片

1)碳化硅单晶衬底:6英寸及以上,微管密度≤0.2/cm2TTV≤10µm,BOW:-15~15µm,Warp≤35µm,表面粗糙度Ra≤0.15nm;N型碳化硅衬底电阻率0.015~0.025Ω·cm, BPD≤1000/cm2;半绝缘碳化硅衬底电阻率≥1010Ω·cm。

2)碳化硅同质外延片:大于6英寸,外延片内浓度不均匀性≤10%;外延片内厚度不均匀性≤5%;外延表面缺陷密度≤1cm-2;外延表面粗糙度≤0.3nm。

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