半导体装备用精密陶瓷部件

根据《重点新材料首批次应用示范指导目录（2024 年版）》，对半导体装备用精密陶瓷部件性能要求进行了规范。
（1）刻蚀装备用碳化硅电极：弹性模量≥350GPa，抗弯强度≥350MPa，纯度≥6N，导热系数≥180W/(m·K)，热膨胀系数≤4.5×10^-6℃^-1，密度≥3.2g/cm³，硬度≥29GPa，电阻率 0.005～80Ω·cm；
（2）刻蚀装备用碳化硅环：弹性模量≥350GPa，抗弯强度≥350MPa，纯度≥6N，导热系数≥180W/(m·K)，热膨胀系数≤4.5×10^-6℃^-1，密度≥3.2g/cm³，硬度≥29GPa；
（3）刻蚀装备用氮化硅陶瓷部件：密度≥3.15g/cm³；导热系数（室温）≥27W/(m·K)；线性热膨胀系数(室温-1000℃)≤3.5×10^-6/K；抗弯强度≥550MPa；平均粒度≤4μm；韦伯模量≥9；关键尺寸精度±0.02mm；表面粗糙度 0.3～5μm，尺寸颗粒≤5000count/cm²，表面有机物≤0.1μg/cm²；
（4）6 寸及以上高温扩散工序用烧结碳化硅舟：密度≥3.1g/cm³，导热系数≥160W/(m·K)，纯度≥99.9%，抗弯强度≥370MPa;
（5）6 寸及以上高温扩散工序用 CVD 碳化硅舟：弹性模量≥350GPa，抗弯强度≥350MPa，纯度≥6N，导热系数≥180W/(m·K)，热膨胀系数≤4.5×10^-6℃^-1，密度≥3.2g/cm³，硬度≥29GPa；
（6）6 寸及以上高温扩散工序用烧结碳化硅炉管：纯度≥99.96%，密度≥2.9g/cm³，抗压强度≥350MPa；热膨胀系数≤4.5×10^-6℃^-1；
（7）6 寸及以上高温扩散工序用 CVD 碳化硅炉管：弹性模量≥350GPa，抗弯强度≥350MPa，纯度≥6N，导热系数≥180W/(m·K)，热膨胀系数≤4.5×10^-6℃^-1，密度≥3.2g/cm³，硬度≥29GPa。