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半导体装备用精密陶瓷部件

2024-04-10 09:23:07   来源:工业和信息化部   编辑:程波   查看:173
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简介:根据《重点新材料首批次应用示范指导目录(2024 年版)》,对半导体装备用精密陶瓷部件性能要求进行了规范。

根据《重点新材料首批次应用示范指导目录(2024 年版)》,对半导体装备用精密陶瓷部件性能要求进行了规范。
1)刻蚀装备用碳化硅电极:弹性模量≥350GPa,抗弯强度≥350MPa,纯度≥6N,导热系数≥180W/(m·K),热膨胀系数≤4.5×10-6-1密度≥3.2g/cm3,硬度≥29GPa,电阻率 0.005~80Ω·cm;
2)刻蚀装备用碳化硅环:弹性模量≥350GPa,抗弯强度≥350MPa,纯度≥6N,导热系数≥180W/(m·K),热膨胀系数≤4.5×10-6-1密度≥3.2g/cm3,硬度≥29GPa;
3)刻蚀装备用氮化硅陶瓷部件:密度≥3.15g/cm3;导热系数(室温)≥27W/(m·K);线性热膨胀系数(室温-1000℃)≤3.5×10-6/K;抗弯强度≥550MPa;平均粒度≤4μm;韦伯模量≥9;关键尺寸精度±0.02mm;表面粗糙度 0.3~5μm,尺寸颗粒≤5000count/cm2表面有机物≤0.1μg/cm2
4)6 寸及以上高温扩散工序用烧结碳化硅舟:密度≥3.1g/cm3,导热系数≥160W/(m·K),纯度≥99.9%,抗弯强度≥370MPa;
5)6 寸及以上高温扩散工序用 CVD 碳化硅舟:弹性模量≥350GPa,抗弯强度≥350MPa,纯度≥6N,导热系数≥180W/(m·K),热膨胀系数≤4.5×10-6-1,密度≥3.2g/cm3,硬度≥29GPa;
6)6 寸及以上高温扩散工序用烧结碳化硅炉管:纯度≥99.96%,密度≥2.9g/cm3,抗压强度≥350MPa;热膨胀系数≤4.5×10-6-1
7)6 寸及以上高温扩散工序用 CVD 碳化硅炉管:弹性模量≥350GPa,抗弯强度≥350MPa,纯度≥6N,导热系数≥180W/(m·K),热膨胀系数≤4.5×10-6-1,密度≥3.2g/cm3,硬度≥29GPa。

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